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电子元器件详细资料 » IC[27948] » SQM110N05-06L-GE3
型号:SQM110N05-06L-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 110A TO263
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C110A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs110nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4440pF @ 25V
功率_最大157W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
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SQM110N05-06L-GE3相关型号

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